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Typical Characteristics
10
400
8
I D = -3.6A
V DS = -5V
-10V
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
-15V
300
6
200
4
C OSS
2
0
100
0
C RSS
0
1
2
3
4
5
6
7
0
6
12
18
24
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
10 μ s
8
R θ JA = 156°C/W
T A = 25°C
1
10ms
100ms
1ms
6
0.1
0.01
V GS = -10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 156 o C/W
T A = 25 o C
DC
1s
4
2
0
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
R θ JA = 156 o C/W
0.2
0.1
0.1
P(pk)
0.05
t 1
t 2
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC654P Rev E1(W)
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